全自動變溫霍爾(ěr)效應測試儀是表徵半導體材料(liào)的基本工具 。結合相關材料(liào)電阻率測量 ，霍爾(ěr)效應分(fèn)析測量方(fāng)法(fǎ)確定(dìng)一個重要的半導體復合材料(liào)質量特性 ，例如(rú)電荷載(zài)流子極性 、電荷載(zài)流子濃(nóng)度和(hé)電荷載(zài)流子遷移率 。霍爾(ěr)效應進行(xíng)電壓通過測量的挑戰主要在(zài)於它們的量非(fēi)常小(xiǎo) ，例如(rú)微伏 ，甚至可(kě)以更低 。如(rú)果半導體材料(liào)具有高電阻率和(hé)/或低載(zài)流子遷移率 ，在(zài)這些低電壓下 ，電平誤差項可(kě)能具有重要的數量級 ，影(yǐng)響測量的霍爾(ěr)電壓 。對於霍爾(ěr)效應進行(xíng)測量 ，誤差項來自中國多個數據來源 ，包括與樣品組織結構和(hé)樣品幾何(hé)形狀設計相關的誤差 、金(jīn)屬連接中的固有誤差 ，以及企(qǐ)業對於我們一個標準樣品而言 ，由非(fēi)理想樣品幾何(hé)形狀可(kě)以引起的電壓誤差和(hé)熱電誤差 。本技術描(miáo)述將描(miáo)述這些誤差中很常見的誤差 ，並推薦(jiàn)解決(jué)這些誤差以消除或極小(xiǎo)化高質量霍爾(ěr)效應測量中的誤差的方(fāng)法(fǎ) 。

　　霍爾(ěr)棒為產生霍爾(ěr)效應研究提供了(le)更理想的幾何(hé)測量 ，因為我們這種不(bù)同類型(xíng)的結構設計能夠可(kě)以通過網絡結構的長軸實現恆定(dìng)的電流密度 。

　　在(zài)這種情況(kuàng)下 ，測試樣本必須具有允許將測試樣本連接到全自動變溫霍爾(ěr)效應測試儀以進行(xíng)所(suǒ)需特性測量的霍爾(ěr)測量 。需要連接到服務(wù)器樣本 ，並且(qiě)我們每個連接都會影(yǐng)響產生直(zhí)接接觸電阻 。保持盡可(kě)能低的接觸電阻和(hé)歐姆將減少接觸電阻對電阻測量的影(yǐng)響 。歐姆意味(wèi)著線性接觸遵守歐姆定(dìng)律 。金(jīn)屬-半導體連接或接口(kǒu)技術具有肖特基二極管(guǎn)特性 ，這使得企(qǐ)業獲得歐姆接觸社(shè)會成為我國一項任務(wù)艱巨的挑戰 ，將低歐姆接觸的電阻與樣品電阻產生的電阻的電阻水(shuǐ)平進行(xíng)比較 ，很小(xiǎo)測量誤差由非(fēi)線性分(fèn)量組成 ，這種聯繫(xì)是微不(bù)足道的 ，高接觸電阻會導致(zhì)樣品自熱和(hé)熱誤差電壓增加 ，對於固定(dìng)的激勵電流 ，低接觸電阻會導致(zhì)導線上的電壓測量值更高 。

　　幾種接觸沈(chén)積方(fāng)法(fǎ)包括 ：

　　1.使用金(jīn)屬基塗料(liào)和(hé)漿料(liào) ；

　　2.直(zhí)接在(zài)半導體表面熔化金(jīn)屬 ；

　　3.蒸發濺射 ；

　　4.分(fèn)子束外延 ；

　　5.離子注入 。

　　一旦接觸材料(liào)沈(chén)積在(zài)半導體表面上 ，就可(kě)以通過常規烘箱 、激光 、電子束或快速加熱爐對接觸進行(xíng)熱退火 。一種使用鹵素(sù)燈將半導體快速加熱到退火溫度並保持溫度在(zài) 10 到 30 秒的退火工藝 。

　　全自動變溫霍爾(ěr)效應測試儀無論使用何(hé)種沈(chén)積技術 ，對細節的關注和(hé)良好的技術都會限度地減少非(fēi)歐姆效應 。確保樣品觸點質量的四(sì)個具有重要方(fāng)面考慮影(yǐng)響因素(sù)主要包括連接工藝的選(xuǎn)擇(zé) 、觸點材料(liào)的選(xuǎn)擇(zé) 、觸點的放置和(hé)樣品結構設計以及通過連接的穩定(dìng)性 。